收藏本站
IXTK 62N25
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
70
60
50
40
30
20
V GS = 10V
8V
7V
6V
210
180
150
120
90
60
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
10
5V
30
0
0
5V
0
0.5
1 1.5
V D S - Volts
2
2.5
0
1
2
3
4 5 6
V D S - Volts
7
8
9
10
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
70
60
50
40
30
V GS = 10V
8V
7V
6V
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
V GS = 10V
I D = 62A
I D = 31A
1.2
20
10
0
5V
1
0.8
0.6
0.4
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
70
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
V GS = 10V
T J = 125oC
60
50
40
30
1.4
1.2
1
0.8
T J = 25oC
20
10
0
0
30
60
90
120
150
180
210
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTK75N30 MOSFET N-CH 300V 75A TO-264
IXTK80N25 MOSFET N-CH 250V 80A TO-264
IXTK82N25P MOSFET N-CH 250V 82A TO-264
IXTK8N150L MOSFET N-CH 1500V 8A TO-264
IXTK90N15 MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
IXTL2X180N10T MOSFET N-CH 100V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X200N085T MOSFET N-CH 85V ISOPLUS I5-PAK
IXTL2X220N075T MOSFET N-CH 75V ISOPLUS I5-PAK
相关代理商/技术参数
IXTK74N20 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current MegaMOSFET
IXTK75N30 功能描述:MOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK80N25 功能描述:MOSFET 80 Amps 250V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK82N25P 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK8N150L 功能描述:MOSFET 8 Amps 1500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N15 功能描述:MOSFET 90 Amps 150V 0.016 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK90N25L2 功能描述:MOSFET 90 Amps 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube